Nuevo almacenamiento optico de IBM

Fuente: www.xataka.com

Recientemente, se ha dado a conocer un nuevo e importante desarrollo que nos pondría ante una nueva forma de codificar datos en memorias de cambio de fase, también conocidas como PRAM o simplemente PCM, lo que nos permitirá tener un tipo de memoria no volátil, con ciclos de vida más longevos y además, mucho más rápidas que la memoria Flash.

Este nuevo desarrollo ha sido presentado por IBM y une lo mejor de la memoria Flash y la RAM en un sólo componente, algo que apunta a reemplazarlos en un futuro no muy lejano, ya que ofrecerá la no volatilidad de Flash, pero con la rapidez de la RAM, con lo que se podría crear memoria cache extremadamente rápida para un smartphone, lo que incluso nos permitiría almacenar todo el sistema operativo en PCM y así tener un dispositivo funcionando en sólo unos segundos.

Este sistema se basa en una estructura amorfa y una de estado cristalino de la PCM, que permite que almacenemos datos dependiendo del voltaje aplicado, es decir, con voltaje alto tenemos "1", mientras que con voltaje bajo se presentan los "0", pero IBM ha encontrado que al calentar los materiales se puede tener acceso a más estados y no sólo "on" y "off", por lo que se ha descubierto la manera de dar seguimiento y codificar estas variantes, lo que permite leer y almacenar hasta 3 bits de datos por celda, algo nunca antes visto.

Esto permitirá tener memorias hasta 50 veces más rápidas que el almacenamiento Flash, incluso igualando la rapidez de la RAM, pero no su precio, además de que podrá soportar más de 10.000 ciclos de grabación, es decir, tres veces más que la Flash, y no es volátil, por lo que no perderá datos si deja de tener energía.

Por supuesto estamos ante un proyecto en etapa temprana de desarrollo, sin embargo en IBM están convencidos de que esto podría significar un cambio radical en cómo hacemos uso de la memoria para almacenamiento de datos.